Phone Arenaは18日（現地時間）、韓国サムスンが「eMMC 5.1」に準拠するモバイルデバイス向けの新型フラッシュストレージを正式に発表したことを伝えています。
サムスンの発表によると、この最新チップには16GB、32GB、64GBの3モデルが用意され、従来のモバイル向けフラッシュストレージから大幅な性能向上を実現しているとのこと。なお、シーケンシャル読み込みと書き込みにおける性能は、それぞれ「250MB/s」と「125MB/s」に達することも明らかにされました。
また、ランダム書き込みと読み込みにおいては「11,000IOPS」と「13,000IOPS」という高速な情報のやり取りを実現していますが、これは一般的な外部microSDカードと比較して、前者では約7倍、後者においては約26倍も高速な値となります。（IOPSについて詳しくは「こちら」）
さらに、CPUが処理をしやすいように、”入力された命令（コマンド）を並べ替える機能” である「コマンドキューイング」にも新たに対応したことで、マルチタスク性能の向上を実現しました。
※注：イメージ図。今回発表されたチップではありません
また、実に興味深いことに、”既にいくつかのスマートフォンやタブレットのOEM向けに、出荷準備が整いつつある” とのこと。発表された時期などを鑑みるに、3月1日に正式発表が迫る「Galaxy S6」や「Galaxy S6 Edge」へ搭載される可能性にも、俄然期待が高まります。
個人的には、サムスンの次世代フラッグシップモデル群には、昨年11月にその存在が噂された「UFS 2.0」準拠のフラッシュメモリ（過去記事）の実装を期待していたのですが、どうやら実現はまだ幾分か先のことになりそうです。
[Samsung via Phone Arena]
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著者
2014年10月1日より、縁あってGGSOKUメインライターに正式に就任。ここ最近は、スマートフォンやタブレットを始めとするガジェット類全般から、各種周辺機器にデジタルカメラ。果ては自作PCパーツやソフトウェア類にまでも食指を動かすに至る始末。イロモノ・キワモノガジェットもこよなく愛する、興味と好奇心の赴くままに生きる元人力車夫。2015年元日より、Twitterアカウント開設。
>なお、シーケンシャル書き込みと読み込みにおける性能は、それぞれ「250MB/s」と「125MB/s」に達することも明らかにされました。
読み書き逆逆ｩー
ただちに訂正させて頂きます！
ご指摘ありがとうございました！