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http://ggsoku.com/2015/03/intel-micron-256g-3d-mand/

Fudzillaは27日（現地時間）、米Micron Technologyと米Intelが共同で、1モジュールで256Gb（32GB）の容量を実現する3D NANDフラッシュメモリを正式に発表したことを伝えています。

新たな技術で製造されたこのNANDフラッシュメモリは、従来的な ”平面構造”（プレーナー構造） ではなく ”積層構造” （3D構造）を採用しており、 競合品の3倍のメモリ容量を実現しつつも、消費電力と製造コストの削減にも成功しているとのこと。

両社幹部は、既に一層式のNANDフラッシュメモリは構造上の限界に近付きつつあり、積層式（3D）こそが唯一の ”打開策” であることや、この新型メモリは主にSSDへの採用が見込まれていることなども明らかにしました。

また今回、時をほぼ同じくして、東芝と米SanDiskも新たな3D NANDフラッシュメモリを発表しています。「BiCS」と名付けられたこの新型メモリは、”48層積層構造” を採用する3Dフラッシュメモリとなり、1モジュールで128Gb（16GB）の容量を実現。

現行製品と比較して、書き込み速度の高速化、書き換え寿命の向上などの信頼性向上も果たしている模様です。なお、既にサンプル出荷を開始しており、2016年前半にも実際の製品の出荷開始が計画されています。

既にGPUの分野においても、スタックドメモリ（2.5D）などの積層型メモリの採用が本格的に開始されつつあり、”新時代” の幕開けもいよいよ目前に迫りつつあるようです。

[Fudzilla / 東芝]