1: 天麩羅油 ★ 2015/07/29(水) 14:27:14.03 ID:???*.net
http://techon.nikkeibp.co.jp/article/NEWS/20150729/429860/

米Intel社と米Micron Technology社は2015年7月28日、「1989年のNANDフラッシュメモリーの採用以来の25年以上ぶりのブレークスルー」（Intel社）となる「3D XPoint technology」を開発したと発表した。
以下ソース

引用元: ・【社会】IntelとMicronが新型メモリーを発表、「NANDの1000倍」

4: 名無しさん＠１周年 2015/07/29(水) 14:29:23.01 ID:YVUghS1q0.net
>>1
何が1000倍なのか書け

21: 名無しさん＠１周年 2015/07/29(水) 14:37:20.41 ID:ksMLAgNf0.net
>>4
大きさ

57: 名無しさん＠１周年 2015/07/29(水) 14:46:39.88 ID:VzwpAVD40.net
>>21
それはまずいだろ
1/1000なら良いがｗｗｗ

32: 名無しさん＠１周年 2015/07/29(水) 14:39:57.54 ID:NBEljeIM0.net
>>4
価格

85: 名無しさん＠１周年 2015/07/29(水) 14:55:30.15 ID:KUp87qax0.net
>>4
記者が理解してない証拠だな

120: 名無しさん＠１周年 2015/07/29(水) 15:08:21.68 ID:Qi/M1h260.net
>>4
面積とそれに係る消費電力じゃね。
メモリの話だし。

122: 名無しさん＠１周年 2015/07/29(水) 15:10:39.37 ID:DmSdnUBz0.net
>>120
処理速度が1000倍、要領が10倍

Intel and Micron Produce Breakthrough Memory Technology
(PDFファイル)
http://investors.micron.com/releasedetail.cfm?ReleaseID=924229

生産を始める新型半導体メモリーは新たな「3D XPoint」技術を応用して、
従来のNAND型フラッシュメモリーに比べて処理速度が1000倍に向上。
素材の詳細は不明ですが、独自の混合物とクロスポイント構造によって、
密度は従来の10倍に。これにより、疾病のリアルタイム追跡や8K画質の
没入型ゲームなど、新たな技術革新を可能にするとのこと。

この発表を受けて、マイクロン株が大幅高となっています。
http://www.bloomberg.co.jp/news/123-NS6DBH6K50XU01.html

2: 名無しさん＠１周年 2015/07/29(水) 14:28:42.43 ID:A6jGYUkg0.net
※理論値でつｗｗｗ

6: 2chのｴﾛい人 2015/07/29(水) 14:29:48.95 ID:lptsVM2j0.net
ナンド！

7: 名無しさん＠１周年 2015/07/29(水) 14:30:19.06 ID:RyP0h49m0.net
値段が1000倍

10: 名無しさん＠１周年 2015/07/29(水) 14:31:16.88 ID:J8+GzBv20.net
な、NANDってー！？

11: 名無しさん＠１周年 2015/07/29(水) 14:32:13.41 ID:a2I6dGgo0.net
ＳＳＤの買い換え待つから一年でよろ

12: 名無しさん＠１周年 2015/07/29(水) 14:32:31.65 ID:ZpJ5/cmd0.net
集積度1000倍とかなんじゃないの？
つまり、もう円盤の出番なしと。

16: 名無しさん＠１周年 2015/07/29(水) 14:34:12.19 ID:6w6Ztecb0.net
インテルとマイクロン、新型メモリーを発表 - 処理速度が従来の1000倍に
http://news.mynavi.jp/news/2015/07/29/207/

処理速度1000倍、容量10倍
どうせならこっちソースに使えよ

27: 名無しさん＠１周年 2015/07/29(水) 14:39:12.28 ID:jMNY1E4/0.net
>>16
今回の記事に関して言えば
マイナビはプレスリリースで言われた事を
たいして理解もせずただ書いただけ
日経bpは他の方式や他社が開発中の技術にも触れ、プレスで言ってない部分まで踏み込んでる

199: 名無しさん＠１周年 2015/07/29(水) 15:49:43.50 ID:rkbiGxsr0.net
>>16
フラッシュ記憶装置あるいはRAM(ランダムアクセス記憶装置)のいずれかの置換とし
てそれを売り込むのではなく、企業はそれに以前より速くアクセスできるようにプロ
セッサにあるデータを「より接近して」保持するために、それらの側にそれが使
用されることを提案します。

SSD(またさらに遅いハードディスク)は残存する
3D XPointより時期が来るまでは暫くの間安い、したがって、ほとんどのファイル
を格納するためにそれらを使用し続けることは、意味をなします。
提言は新技術です、「中間のメモリ」として通常代わりに使用されます。

先ずはvideoRAMとかじゃねーの

26: 名無しさん＠１周年 2015/07/29(水) 14:39:10.27 ID:T436Gjzu0.net
フラッシュメモリー速度1000倍ってスゲーんじゃね
一般用まで降りてくるのは先だろうけど、
Ｃドライブにしたらどれくらいはやくなるか…

49: 名無しさん＠１周年 2015/07/29(水) 14:44:28.06 ID:IZTE5Uyi0.net
>>26
SATAがボトルネックにならんの？

56: 名無しさん＠１周年 2015/07/29(水) 14:46:29.16 ID:DYiMyZk40.net
価格しだいだろう

>>49
そりゃなるだろうから、当然新企画とセットになるだろうな

67: 名無しさん＠１周年 2015/07/29(水) 14:49:58.20 ID:IZTE5Uyi0.net
>>56
マザボから買い替えかあ
昔のIDEケーブルみたいに平べったく広くなったらイヤンだなあ

バッテリーのブレイクスルーのが早く来るかと思ってたけど
新型メモリの普及でmobile業界は延命できるかもしれんね

33: 名無しさん＠１周年 2015/07/29(水) 14:40:47.27 ID:sGyaboA40.net
もうMOいらないな

115: 名無しさん＠１周年 2015/07/29(水) 15:06:22.17 ID:8Usqyeo00.net
>>33
オレはZIPドライブを始末しよう。

44: 名無しさん＠１周年 2015/07/29(水) 14:43:07.95 ID:SWTwvvp70.net
>両社はこの技術を“1989年のNANDフラッシュ以来、
25年ぶりの新カテゴリーのメモリ”としている。
NANDより1000倍速いだけでなく、1000倍耐久性があり、
従来のメモリよりデンシティが10倍高いという
（デンシティが高ければ小さいサイズで大容量のメモリを実現できる）。
1つのダイに128Gバイトのデータを保存できる。
>

何これ

188: 名無しさん＠１周年 2015/07/29(水) 15:42:53.51 ID:QKtZoi5v0.net
>>44
凄すぎて笑ってしまう。ホントだったら現在の機器がマジで時代遅れになるな。

192: 名無しさん＠１周年 2015/07/29(水) 15:44:51.47 ID:T9djaqYV0.net
>>44
これがそのまま実用化されたら
全てのメモリ、ディスクは駆逐されるなｗ

194: 名無しさん＠１周年 2015/07/29(水) 15:45:42.57 ID:YQcgP6o20.net
>>192
東芝が駆逐される

62: 名無しさん＠１周年 2015/07/29(水) 14:47:23.38 ID:QUgjhDXp0.net
でも　おたかいんでしょう？

82: 名無しさん＠１周年 2015/07/29(水) 14:54:25.03 ID:2HkBOSVK0.net
メモリの処理速度を上がるのはいいけど
マザボの性能も上げてくれ

113: 名無しさん＠１周年 2015/07/29(水) 15:05:19.11 ID:KEKLlZ+G0.net
http://www.bbc.com/news/technology-33675734

図解っぽいのがあるな

123: 名無しさん＠１周年 2015/07/29(水) 15:11:19.47 ID:IKEgo24v0.net
>>113
あー…メモリのセルを、えーと…立体的に編み物みたいに組み上げてみました、みたいな？
そんな感じの技術なんだろうか

126: 名無しさん＠１周年 2015/07/29(水) 15:11:30.55 ID:DVbesFbL0.net
>>113
分かりやすい図だな

つまり今までは1個1個に枝分かれして電気で情報を保存していたけど
新しいコレは縦縞と横縞でサンドイッチしてx座標・y座標の重なった場所に情報を保存すると
しかも上下左右に3Dに連結させ続けられるからサイズも縮むと

224: 名無しさん＠１周年 2015/07/29(水) 16:05:56.10 ID:gmktA4tY0.net
>>113
そこ見たけど結局原理も何も分からなかった…

クロスポイントしたところにある
物質は何なんだよ？

251: 名無しさん＠１周年 2015/07/29(水) 16:32:36.62 ID:KEKLlZ+G0.net
>>224
x軸とy軸で+と-の電極が目的地に繋がるだろ
その場所の抵抗値なりでビット情報が分かるわな

あとはその抵抗値を書き換える仕組みがあればメモリの完成

それが3Dでサンドイッチになってる、
つまり電位差さえあれば多ビット情報を同時並列で読み書きできる

196: 名無しさん＠１周年 2015/07/29(水) 15:47:49.91 ID:APJjfWT90.net
NANDフラッシュと比較して速度で１０００倍、耐久性で１０００倍
DRAMと比較して密度で10倍だってよ。

201: 名無しさん＠１周年 2015/07/29(水) 15:51:09.91 ID:9lwgYDvR0.net
問題はデータを保持できる期間だな

213: 名無しさん＠１周年 2015/07/29(水) 15:59:58.54 ID:4FaGPGAi0.net
NANDなんて1110しか扱えないじゃん
それの1000倍だろ？テトリスも出来んぞ！

247: 名無しさん＠１周年 2015/07/29(水) 16:28:52.33 ID:4seMfMkZ0.net
このニュースのキモは年内にサンプル出荷
そのレベル迄既にいってる

248: 名無しさん＠１周年 2015/07/29(水) 16:30:22.77 ID:uLQ02urj0.net
2次元が3次元になる
高さ方向に数十ナノX1000枚＝数十ミクロン積み重ねた構造か

258: 名無しさん＠１周年 2015/07/29(水) 16:42:51.78 ID:PiSnSJfr0.net
実用化はいつなんだよ