東芝は、48層積層プロセスを用いた256ギガビット3次元フラッシュメモリ『BiCS FLASH』の量産を開始し、9月よりサンプル出荷すると発表しました。SSD、スマートフォン、タブレット、記録メディアなどへの展開を見込みます。

3次元フラッシュメモリには、メモリセルを垂直方向に積み上げ、シリコン面積当たりの素子密度（記憶密度）を従来のNAND型フラッシュメモリと比べて大幅に向上した技術が用いられています。大容量化と書き込み速度の向上、書き換え回数の長寿命化などを実現しました。

近年では集積回路製造プロセスの微細化が限界に近づいてきているとの見方もあり、フラッシュメモリの分野においては、微細化に一旦区切りをつけ、積層構造化によって性能の向上を図る方向性へとシフトする動きがあります。

3次元フラッシュメモリでは、チップ上にメモリセルの層を積み重ね、それぞれの層を柱状の電極で接続するTSV（Through Silicon Via）などの技術が用いられており、この技術によって、メモリ全体の低消費電力化とレイテンシの低減、チップの小型化といった恩恵が得られます。

3次元フラッシュメモリの量産品としてはこのほか、サムスンの32層積層プロセスによる製品などが知られています。

なお東芝は3月に128ギガビットの48層3次元フラッシュメモリをサンプル出荷しています。今後もメモリの大容量化、小型化といったニーズは継続すると見ており、さらなるフラッシュメモリの3次元積層構造化を進め、SSDを中心とした製品群を展開していくとしています。

フラッシュメモリの積層構造化は、ストレージとしての大容量化と長寿命化が見込めることから、長期的にはHDDからSSDへの置き換えを加速する要素になることが予想されます。公表されている開発資料によれば、2016年には本格的な商業生産が始まるとのことで、3次元フラッシュメモリを搭載したSSDなどが普通に手に入るのは来年以降になりそう。実際にどんな製品が出てくるのか、期待したいところです。