網易手机は19日（現地時間）、韓国サムスンの次世代フラッグシップスマートフォン「Galaxy S8」のスペックについて、新たな情報がリークされたことを伝えています。
網易手机によると、Galaxy S8には、自社開発されたデュアルカメラモジュールが搭載されるほか、ディスプレイについても現行のWQHD（2560×1440）から4K（3840×2160）にまで高解像度化が図られる見込みとのことです。
また、SoCには、米クアルコムの次世代フラッグシップSoC「Snapdragon 830」が採用されるほか、その製造には「10nm FinFET」プロセスが用いられるとされています。
デュアルカメラは、フラッグシップモデルを中心に新たなトレンドとなっていくことが予測されているほか、モバイル分野におけるVR技術の発展と普及に伴うディスプレイの高解像度化は、ある意味では既定路線と言えるかもしれません。
また、先日には、サムスンから5.5インチの4K有機ELディスプレイが発表されており（過去記事）、さらには、かねてよりSnapdragon 830は、10nm FinFETプロセスで製造され、2017年の早い段階で製品化される見込みとも報じられているだけに、今回リークされたGalaxy S8のスペック情報は、どれも現実味のあるものと言えそうです。
[網易手机 via Phone Arena]
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著者
2014年10月1日より、縁あってGGSOKUメインライターに正式に就任。ここ最近は、スマートフォンやタブレットを始めとするガジェット類全般から、各種周辺機器にデジタルカメラ。果ては自作PCパーツやソフトウェア類にまでも食指を動かすに至る始末。イロモノ・キワモノガジェットもこよなく愛する、興味と好奇心の赴くままに生きる元人力車夫。2015年元日より、Twitterアカウント開設。
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