米クアルコムは18日（現地時間）、次世代フラッグシップSoC「Snapdragon 835」を発表しました。
プレスリリースによると、Snapdragon 835は韓国サムスンの誇る最新世代の半導体製造プロセス「10nm FinFET」で製造されることとなり、2017年上半期中には搭載製品が登場する予定とのことです。
また、サムスンの10nm FinFETプロセスは、同社の「14nm FinFET」プロセス比で最大30%の面積効率の向上のほか、27%の性能向上または最大40%の消費電力削減を実現するとされています。
そのほか、新世代の急速充電技術「QuickCharge 4.0」が実装されていることも明らかにされました。
残念ながら今回、チップの構成など詳細については一切明らかにされませんでしたが、来年1月に開催予定のCES 2017、あるいは同年2月下旬のMWC 2017の場において、更なる詳細が明かされることに期待したいところです。
[クアルコム via Phone Arena]
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