MySmartPriceは25日（現地時間）、韓国サムスンの次世代フラッグシップスマートフォン「Galaxy S8」のスペックに関する情報が、新たにリークされたことを伝えています。
MySmartPriceによると、「Galaxy S8」には、「10nm FinFET」プロセスで製造された8GBのRAMと「UFS 2.1」規格に準拠したストレージメモリが採用される見込みと伝えています。
現時点までに、8GBのRAMとUFS2.1規格ストレージを採用しているスマートフォンは、ただの1台たりとも発売されていません。CES 2017やMWC 2017などにおいて発表される可能性はありますが、仮に今回の噂が事実であれば、Galaxy S8は2つの世界初を同時に達成することとなります。
また、直近の情報によると、6.0インチディスプレイを搭載する新型ファブレット「Galaxy S8 Plus」が、来年4月頃にGalaxy S8とともに発表される見込みとのこと（過去記事）。
なお、先日にはGalaxy S8シリーズの機密情報に関する管理体制が強化されたとも報じられており（過去記事）、これまで以上にリーク情報に対する慎重な判断が求められることとなりそうです。
[MySmartPrice via Phone Arena]
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