韓国サムスンは18日(現地時間)、最新の半導体製造プロセス「8nm FinFET(8LPP)」プロセスの開発を完了したことを発表しました。
8LPP(Low Power Plus)プロセスは、第2世代「10nm FinFET」プロセスをベースに開発されていた新世代のプロセスであり、新たに「EUV露光」技術が導入される「7nm」プロセスの登場前における最後のプロセス世代となります。
また、「14nm FinFET」と「10nm FinFET」プロセスに続き、8LPPの開発は米クアルコムと共同で行われており、第2世代10nm FinFETプロセス比で10%の電力効率改善、および10%の面積削減を実現したとのこと。
そして、既に量産におけるノウハウが蓄積されている10nm FinFETプロセスを基礎にしているため、生産歩留まりも迅速に高い水準にまで向上させられる見通しであるほか、量産準備も既に完了している模様です。
早ければ来年の早い時期にも、クアルコムからこの8LPPプロセスを採用した新製品が登場することとなりそうですが、あるいは同社の次世代フラッグシップSoC「Snapdragon 845」も、10nm FinFETではなく8LPPで製造されることになるかもしれません。続報に要注目です。
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